錫須成因和導致錫須的因素

　　在本文中我們討論已經發現的錫須成因和可能導致錫須的各種因素。此外，我們還將分別討論"似是而非的錫須理論","錫須對測試條件的影響"和"防止和減輕錫須的措施。"
　　通過全面的測試來確定或否定錫須形成的原因，其代價不菲，而且需要花費大量的時間，對于形成錫須的原因，我把重點放在考察合理的錫須形成原因和促使錫須形成的具體因素。從根本上說，錫須是晶體，錫晶須的形成遵循冶金學的晶核形成－生長晶體－形成晶格結構的基本物理學原理，錫晶體結構的晶格錯位動力學及其他關于晶格缺陷的經典理論。因此，對于從錫鍍層（或錫涂層）表面出現的錫須，形成錫須的原因和促使錫須生長的因素，與形成晶核的位置及鍍錫工藝后錫須生長的路徑有密切關系。但是，由于錫晶須的固有特性，形成晶核和生長晶粒的實際過程極其復雜。
　　在進行電鍍時和在電鍍之后，產生的應力會促進晶核形成和生長晶體。鍍錫層中的應力來源有多個方面。應力中包含在電鍍時和電鍍后殘存的應力，或者是由外界因素引起的應力，以及熱效應引起的應力。